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一、产品概况

巨(ju)风半(ban)导(dao)体推出(chu)600V带DESAT退饱和监测单(dan)高(gao)侧HVIC – TR2127X系列驱动IC。单(dan)高(gao)侧600V HVIC适(shi)用于(yu)并管的电机控制器(qi)，相比半(ban)桥(qiao)架构，方便(bian)PCB走(zou)线(xian)，优化控制器(qi)设计(ji)。同时内置DESAT过流(liu)保(bao)护监测功能，保(bao)证了控制器(qi)的高(gao)可靠(kao)性。

二、产品特性

• 悬浮侧耐压最高到600V

• 电(dian)源工作电(dian)压(ya)9V~20V,最高到25V

• 输入兼容3.3V/5V/15V逻辑

• 驱(qu)动(dong)电流：最高达+4A/-6A

• 内置DESAT过流保(bao)护监测功能(neng)

• 故障输(shu)出/FLT

三、芯片封装

四、应用场景

• 汽车(che)电子的(de)动(dong)力驱动(dong)

• 电(dian)机控制及驱(qu)动器

• 家用电器(qi)

• 工业(ye)应用(yong)及驱(qu)动(dong)

• 机器(qi)人(ren)应用及驱动(dong)

• 工业自动化

• 电力供应系统

五、推荐应用电路

六、芯片典型性能参数

基本功能测试(shi)：HIN/LIN支持(chi)3.3V/5V/15V电(dian)平(ping)逻辑，VCC/VBS工作电(dian)压最高(gao)可以到(dao)20V, 内置(zhi)DESAT过(guo)流(liu)保护功能，无(wu)需外置(zhi)比较器做(zuo)过(guo)流(liu)保护，简(jian)化(hua)客户PCB设计。带故障输出/FLT功能，通过(guo)连接(jie)到(dao)MCU实(shi)现实(shi)时过(guo)流(liu)保护。

IN/OUT功能

驱动电(dian)(dian)流测(ce)试IO+/- ：TR21276提供高达+4/-6A瞬态驱动电(dian)(dian)流，无需(xu)外(wai)部增加推挽电(dian)(dian)路，可以满足(zu)驱动并管(guan)大(da)电(dian)(dian)流功率(lv)管(guan)的要求(qiu)。

IO+

IO-

dvdt测(ce)试：VS浮地可以在(zai)0-50V/ns的CMTI扰动下不影响(xiang)HO输(shu)出(chu)。

dvdt测试波形

瞬态VS负压测试：优异的VS瞬态抗负压能力，在200ns脉宽时，最高可以承受超过-150V的负压而不会导致HO输出异常或导致芯片出现latchup问题。
 

瞬态(tai)VS负压测试波形

带载(zai)双(shuang)脉(mai)冲(chong)测(ce)(ce)试：按(an)照(zhao)母线电压400V,对TR2127X芯片和600V IGBT功(gong)率管(guan)做双(shuang)脉(mai)冲(chong)测(ce)(ce)试，在芯片最(zui)大工作电压VCC=20V测(ce)(ce)试，可(ke)以完美驱动功(gong)率管(guan)。

带载双脉冲测试波形